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81.
赵文娟  孙文姣  高洁玲  翁前锋 《广州化工》2011,39(10):119-122,124
采用电聚合的方法制备了聚对氨基苯磺酸修饰电极(pABSA/GCE),并采用循环伏安法和线性扫描方法分别对多巴胺(DA),抗坏血酸(AA),尿酸(UA)以及三者的混合液进行了测定,研究了该修饰电极的电化学行为。结果表明,pABSA/GCE对AA,DA,UA有良好的电催化作用。在混合液的测定中,三者可以很好的分离,AA-DA、DA-UA、AA-UA的峰电位差分别为265 mV,146 mV和411 mV。该pABSA/GCE修饰电极既用于混合液中AA、DA和UA的分别测定也可以用于三者的同时测定,电极重现性和稳定性良好。  相似文献   
82.
综述了有机相变储能材料(OPCMs)的分类、热物理性能,分析了各种有机相变材料的相变特性及优缺点,展望了有机相变储能材料的发展方向。  相似文献   
83.
通过镁合金铸轧工艺试验,分析了辊面线速度、轧辊直径、铸轧区长度以及铸轧板坯厚度对铸轧区凝固前沿位置及板坯宏观质量的影响。试验结果表明,在铸轧区长度、板坯厚度一定的条件下,铸轧速度显著影响凝固前沿位置,并进一步决定镁合金铸轧板坯表面质量及宏观缺陷形成特征。在其他工况条件不变的情况下,铸轧速度必须根据铸轧区长度、板坯厚度进行调整,并将铸轧区凝固前沿控制在优化区域,可稳定工艺、提高板坯的表面质量。  相似文献   
84.
合成革用水性聚氨酯的制备   总被引:2,自引:0,他引:2  
以异佛尔酮二异氰酸酯( IPDI),聚酯或聚醚多元醇、二羟甲基丙酸(DMPA)为主要原料,采用预聚体法合成了脂肪族革用水性聚氨酯(WPU),用三甲氧基三聚氰胺树脂(TMMM)对WPU进行交联反应成膜,考察了nNCO/nOH,DMPA用量、聚酯或聚醚种类以及TMMM对WPU性能的影响.结果表明,随着nNCO/nOH的增加...  相似文献   
85.
结合镁合金铸轧工艺特点,分析镁合金板坯铸轧过程中凝固层焊合点位置与板坯缺陷的影响规律;针对板坯厚度、铸轧区长度及铸轧速度等关键参数,简化凝壳径向生长及凝固前沿周向转动过程,确定铸轧速度匹配范围,建立凝固层焊合点位置控制模型,并通过工艺试验对控制模型进行验证.结果表明通过理论模型确定工艺匹配范围,可稳定并优化镁合金铸轧工艺,大幅度降低铸轧板坯宏观缺陷,获得表面光洁、质量良好的镁合金铸轧板坯.  相似文献   
86.
正2014年1月30日,凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出300MHz至6GHz有源下变频混频器LTC5577,该器件具有卓越的+30dBmIIP3(输出三阶截取)和0dB转换增益。LTC5577能够在很宽的频率范围内工作,用一个器件就可涵盖从450MHz到3.6GHz的全部蜂窝频段。此外,其IF  相似文献   
87.
正AVX发布其高方向性0302尺寸的薄膜耦合器为无线频带应用,包括全新紧密度容差0302尺寸的零件,现在可通过经销商购买。该无线频带耦合器采用多层集成薄膜(ITF)技术,在无线电频谱(2,400-5,905MHz)让微型零件表现出优良的高频率性能并为可靠的自动装配提供牢固结构。AVX的无线频带耦合器可供0302,0402和0603尺寸,都表现出一样的电气性能,以及采用连接盘网格阵列(LGA)封装技术,优点包括:固有的低高度、在回流时自对准、优良可焊性、地寄生效应和有效的热散特性。  相似文献   
88.
正2014年8月21日,凌力尔特公司(Linear Technology Corporation)推出低静态电流同步降压型DC/DC控制器LTC3807,该器件在备用模式且输出电压处于稳压状态时仅吸取50μA电流。4V至38V的输入电源范围用来抵御高压瞬变、在汽车冷车发动时继续工作、并可覆盖范围很宽的输入电源和电池化学组成。输出电压可设定在0.8V至24V范围内,输出电流高达25A,效率高达95%,从而使该器件非常适合汽车、重型设备、工业及机器人应用。  相似文献   
89.
正日本的机械电子及电子技术展会"TECHNO-FRONTIER2014"上,各国企业纷纷展示了使用硅基板的GaN功率元件,从中可以看出GaN功率元件的生态系统不断扩大的趋势。加拿大的GaNSystems公司展出了耐压650V、电流容量高达100~200A的常闭型GaN功率晶体管。而目前市场上的GaN功率晶体管大多不到40A。100A以上的大电流产品瞄准的是汽车用途。实际上,GaNSystems公司已在汽车相关厂商聚集的日本爱知县名古屋市设立了日本事务所。该公司打算在今后大力开拓包括汽车领域在内的日本市场,作为其中的一环,该公司首  相似文献   
90.
正日前,德州仪器(TI)宣布推出支持PMBus接口的业界最小型12A同步降压DC/DC转换器。该SWIFTTPS53915采用微小型PowerStackTMQFN封装并集成NexFETTM MOSFETS,可在空间有限的高电源密度应用中驱动ASIC,能够充分满足有线及无线通信、企业/云计算以及存储系统等各种市场需求。TPS53915与TI获奖型WEBENCH在线设计工具联用,可简化功率转  相似文献   
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